上一篇介绍了现在5G芯片大战的尽头液态金属芯片，今天来介绍一下新世界的另一扇大门三维立体硅芯片。

那么什么是三维立体硅芯片？三维立体硅芯片是将不同电路单元制作在多个平面晶片上，并通过硅通孔Through Silicon Vias, TSVs层间垂直互连技术将多个晶片 Die在垂直方向进行堆叠互连而形成的一种全新的芯片结构，具有集成度高、功耗低、带宽高、面积小、互连线短、支持异构集成等特点。

也是说三维芯片终于突破了二维的桎梏，在空间上有了无限的可能。现在最主要的技术难点在于物理上用什么技术来达到设计的效果，而不是简单的层数堆叠。

光刻机的技术已经不能满足这种新的芯片要求，另外在能耗、散热等方面也是急需有所突破。这其实已经不是简单的技术突破，要求在新技术、新材料都要有所突破。

三维芯片的缺点很明显但是都处于应用上的问题，在理论研究上面已经再无障碍，这是意味着三维芯片是下一代新型芯片中最容易突破的那一种，现在只需要在应用技术上找到新的方法，所需的只是时间成本。

对比其他类型的新型芯片，三维立体芯片也是最接近成功的一种，预计量产成功的时间已经不远了，相信那一天又是一个翻天覆地变化的科技世界。

科技世界发展已进入指数增长的阶段，但是理论研究的速度正在变缓，不知道科技发展的瓶颈在哪里，但是一定不是在现在，可见的未来十年仍然是飞速发展的十年。

在挖个坑，在托卡马克等关键技术点攻克后，世界还会有超出想象力的变化，我们不妨期待一下，感兴趣的话评论告诉我，下一期或者下下一期我们一起讨论一下。