界读|南京宇都自主研发首个5G微基站射频芯片成功流片

原创 欧界科技  2020-03-05 17:53 

欧界报道:

随着5G通信的逐步推进,较高的频率引发的技术新热点也引起关注,商用楼宇和家庭室内的信号补盲问题就是其中之一。最近,我国首个 5G微基站射频芯片YD9601,在南京宇都通讯科技有限公司经过自主研发流片成功,目前正在进行封装测试。

国家特聘专家、美国麻省理工学院博士王俊峰表示,5G微基站射频芯片项目是我们自主研发的有线射频宽带芯片组的拓展。在推出5G微基站射频芯片之前,公司通过研发有线射频宽带HiNOC2.0芯片,拥有了长期的射频芯片技术积累。据介绍,YD9601 不光覆盖 700MHz 广电频段,也兼容了工信部 2 月初刚刚颁发许可的 3.3-3.4GHz 的共享室内频段,可以说是为 5G 时代室内共享微基站量身定做的芯片。

5G 基站分为宏基站和微基站两种。宏基站主要用于室外覆盖,5G 微基站主要用于室内,发射功率较小,一般 200 毫瓦以内,广泛用于机场高铁等候区域、商业场所、商业楼宇、学校医院、园区工厂和社区家庭等场景。5G 微基站可以以较低成本有效解决室内覆盖区域的容量如机场、高铁和商业场等热点区域和覆盖问题如商业楼宇和家庭。

HiNOC2.0是我国下一代有线射频宽带广电接入标准,南京宇都HiNOC2.0射频/基带芯片组可实现600兆每秒的下行速率,完全可与国际巨头的同类产品对标。在中国广播科学研究院进行的标准测试中,搭载这组芯片的设备在85dB的线路衰耗下仍可接入,相比对标的国际巨头同类产品,抗衰减能力提升了10dB左右,这使其更能适应国内复杂、恶劣的网络环境。2019年4月,中国工程院院士倪光南领衔的专家组对的HiiNOC2.0芯片组进行技术鉴定,认定该芯片组在系统性能上达到了国际同类产品的先进水平,而其中射频芯片部分性能优于国际同类产品。

5G时代射频前端需要支持的频段数量大幅增加,同时高频段信号处理难度增加导致系统射频器件的性能要求大幅提高,载波聚合及MIMO 技术等新应用要求各射频器件进行相应的技术更新。因此使得5G射频前端芯片架构日趋复杂,数量和价值量较4G预计显著提升。另一方面5G 标准下现有的移动通信、物联网通信标准将进行统一,因此未来在统一标准下射频前端芯片产品的应用领域会被进一步放大。

各位读者,你们怎么看?

界读环球最新科技,深度剖析行业动态

欧界原创出品,转载请注明出处

本文地址:https://www.zhsmx.cn/3628.html
版权声明:本文为原创文章,版权归 欧界科技 所有,欢迎分享本文,转载请保留出处!

发表评论


表情